S9012 Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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Produttore elettronici

S9012 Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Shanghai Shunye Electro...	S9012	829Kb/4P	TRANSISTOR (PNP) V2.22
Weitron Technology	S9012	1Mb/4P	PNP General Purpose Transistors
Jinan Jing Heng Electro...	S9012	1Mb/5P	PNP General purpose Amplifier
Daya Electric Group Co....	S9012	175Kb/2P	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
SeCoS Halbleitertechnol...	S9012	239Kb/1P	PNP Silicon General Purpose Transistor
Tiger Electronic Co.,Lt...	S9012	51Kb/3P	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Nanjing International G...	S9012	327Kb/2P	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
Diode Semiconductor Kor...	S9012	259Kb/4P	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
Goodwork Semiconductor ...	S9012	600Kb/3P	TRANSISTOR(PNP)
Galaxy Semi-Conductor H...	S9012	154Kb/4P	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Rev.A
Jiangsu Changjiang Elec...	S9012	843Kb/4P	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
GUANGDONG HOTTECH INDUS...	S9012	165Kb/2P	Plastic-Encapsulate Transistors
Shenzhen Jin Yu Semicon...	S9012	774Kb/2P	TRANSISTOR(PNP)
SHENZHEN SLS TECHNOLOGY...	S9012	682Kb/2P	Plastic-Encapsulate Transistors
SHENZHEN KOO CHIN ELECT...	S9012	285Kb/2P	TRANSISTOR (PNP)
Shenzhen Luguang Electr...	S9012	1Mb/3P	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	S9012	547Kb/3P	PNP Transistors
Galaxy Semi-Conductor H...	S9012	184Kb/4P	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Rev.A
Shanghai Leiditech Elec...	S9012	276Kb/4P	PNP Silicon Epitax ial Planar Transistor
Guangdong Youtai Semico...	S9012	579Kb/3P	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

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Breve descrizione di S9012

L'S9012 è un transistor PNP di piccolo segnale comunemente utilizzato nelle applicazioni di amplificazione e commutazione a bassa potenza. Fa anche parte di una famiglia di transistor noti come transistor per uso generale, simile alla sua controparte NPN, l'S9018.

Ecco alcune specifiche chiave del transistor S9012:

Tipo di transistor: PNP
Tensione massima della base del collettore (VCBO): -40V
Tensione massima del collettore -emettitore (VCEO): -25V
Tensione massima emettitore -base (VEBO): -5V
Corrente massima del collettore (IC): 500ma
Currente DC Current (HFE): in genere vanno da 120 a 400
Dissipazione di potenza (PD): 625MW
Frequenza di transizione (FT): in genere circa 150 MHz

Il transistor S9012 è progettato per l'uso in circuiti elettronici in cui sono presenti requisiti a bassa tensione e bassa corrente, simili alla sua controparte NPN, l'S9018. È comunemente usato in applicazioni come amplificatori, oscillatori e circuiti di commutazione di basso livello.

Equivalente per S9012

L'S9012 è un tipo specifico di transistor PNP comunemente utilizzato nelle applicazioni di amplificazione e commutazione a bassa potenza. Sebbene una sostituzione esatta con lo stesso numero di parte potrebbe non essere prontamente disponibile, ci sono opzioni alternative che possono essere considerate. Ecco alcuni potenziali sostituti per il transistor S9012:

2N3906: il 2N3906 è un transistor PNP ampiamente utilizzato con una corrente di collettore massima di 200 mA e una tensione massima del collettore-emettitore di 40 V. Ha caratteristiche elettriche simili all'S9012 e può essere utilizzato come sostituzione in molte applicazioni a bassa potenza.

BC557: BC557 è un altro transistor PNP con una corrente di collettore massima di 100 mA e una tensione massima del collettore-emettitore di 45 V. È comunemente usato nell'amplificazione a bassa potenza e nei circuiti di commutazione e può essere utilizzato in sostituzione dell'S9012 in alcune applicazioni.

PN2907: PN2907 è un transistor PNP con una corrente di collettore massima di 600 mA e una tensione massima di emettitore collettore di 40 V. Viene spesso utilizzato in applicazioni di commutazione a bassa potenza e può essere considerato come una sostituzione dell'S9012 in circuiti adatti.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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