TIP3055 Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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TIP3055 Scheda tecnica, PDF

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ON Semiconductor	TIP3055	101Kb/4P	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 1996 REV 1
STMicroelectronics	TIP3055	45Kb/4P	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Aug-1999
STMicroelectronics	TIP3055	88Kb/7P	Complementary power transistors 10-Jan-2008
ON Semiconductor	TIP3055	114Kb/6P	Complementary Silicon Power Transistors May, 2012 ??Rev. 7
Mospec Semiconductor	TIP3055	107Kb/3P	POWER TRANSISTORS(15A,60V,90W)
Motorola, Inc	TIP3055	104Kb/4P	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
Power Innovations Ltd	TIP3055	95Kb/6P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Wing Shing Computer Com...	TIP3055	64Kb/1P	NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
Savantic, Inc.	TIP3055	155Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Inchange Semiconductor ...	TIP3055	155Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Tiger Electronic Co.,Lt...	TIP3055	64Kb/1P	Complementary Silicon High Power Ttransistors
Comset Semiconductor	TIP3055	72Kb/3P	SILICON POWER TRANSISTORS
Kwang Myoung I.S. CO.,L...	TIP3055	3Mb/1P	Silicon NPN Power Transistors
New Jersey Semi-Conduct...	TIP3055	95Kb/2P	Silicon NPN Power Transistor
Inchange Semiconductor ...	TIP3055	305Kb/2P	isc Silicon NPN Power Transistor
Multicomp Pro	TIP3055	478Kb/4P	Complementary Power Transistor 25/09/19 V1.0
Continental Device Indi...	TIP3055F	89Kb/2P	TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL
TRANSYS Electronics Lim...	TIP3055F	69Kb/3P	POWER TRANSISTORS
ON Semiconductor	TIP3055G	114Kb/6P	Complementary Silicon Power Transistors May, 2012 ??Rev. 7
ON Semiconductor	TIP3055G	114Kb/6P	Complementary Silicon Power Transistors May, 2012 ??Rev. 7

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Breve descrizione di TIP3055

Il TIP3055 è un transistor bipolare NPN (BJT) NPN ampiamente utilizzato (BJT) noto per il suo utilizzo nell'amplificazione della potenza e nelle applicazioni di commutazione ad alta potenza. Fa parte della serie di transistor di punta ed è comunemente impiegato per la guida di carichi come motori, relè e altre applicazioni ad alta corrente. Ecco alcune caratteristiche chiave e specifiche del transistor Tip3055:

Polarità: configurazione del transistor NPN, il che significa che amplifica la corrente quando una piccola corrente scorre dalla base all'emettitore.

Corrente del collettore massimo (IC): la TIP3055 è in genere valutata per una corrente di collettore massima di circa 15a a 25a, a seconda del modello e del produttore specifici.

Tensione massima del collettore-emettitore (VCEO): la valutazione VCEO è generalmente di circa 60 V a 100 V, indicando la massima tensione che può gestire tra i terminali collezionisti e emettitori quando la base è aperta.

Guadagno (HFE o beta): il guadagno, indicato come hfe o beta, è il fattore di amplificazione del transistor e in genere rientra nell'intervallo da 20 a 70.

Dissipazione ad alta potenza: la TIP3055 è progettata per gestire una dissipazione di potenza relativamente elevata, il che lo rende adatto per applicazioni ad alta potenza.

Pacchetto: il TIP3055 è comunemente disponibile in un pacchetto TO-218 o TO-247, che offre buone prestazioni termiche e facilita il montaggio dei dissipatori di calore per il raffreddamento.

Applicazioni: il transistor TIP3055 è ampiamente utilizzato nelle applicazioni che richiedono commutazione e amplificazione ad alta potenza, inclusi amplificatori di potenza, controllo del motore, alimentatori e altro ancora.

Dissipazione del calore: la TIP3055 può generare calore durante il funzionamento, quindi una corretta gestione del calore, incluso il calore, può essere necessario per le applicazioni ad alta potenza per garantire un funzionamento sicuro.

Configurazione della coppia di Darlington: il TIP3055 viene spesso utilizzato come parte di una configurazione della coppia di Darlington per amplificare ulteriormente la corrente e fornire un guadagno di corrente elevato.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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