IXFN38N100Q2 Scheda tecnica(PDF) - IXYS Corporation

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IXFN38N100Q2 Scheda tecnica (PDF) - IXYS Corporation

IXFN38N100Q2 Datasheet PDF - IXYS Corporation


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Produttore elettronici	IXYS [IXYS Corporation]

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Spiegazioni elettronici

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr

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Produttore elettronici	IXYS [IXYS Corporation]

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Spiegazioni elettronici	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr

IXFN38N100Q2 Scheda tecnica (HTML) - IXYS Corporation

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IXFN38N100Q2 Dettagli del prodotto

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr

Features

• Double metal process for low gate resistance

• miniBLOC, with Aluminium nitride isolation

• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

• Low package inductance

• Fast intrinsic Rectifier

Applications

• DC-DC converters

• Switched-mode and resonant-mode power supplies

• DC choppers

• Pulse generators

Codice articolo simile - IXFN38N100Q2

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Inchange Semiconductor ...	IXFN38N100Q2	566Kb / 3P	isc N-Channel MOSFET Transistor
IXYS Corporation	IXFN38N100Q2	141Kb / 4P	HiPerFET Power MOSFET

Descrizione simile - IXFN38N100Q2

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
IXYS Corporation	IXFH14N100Q2	564Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg Low Rg, High dv/dt, Low trr
	IXFK38N80Q2	605Kb / 5P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R
	IXFT10N100	556Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
List of Unclassifed Man...	DE150-501N04A	77Kb / 3P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Qg and Rg High dv/dt Nanosecond Switching RF Power MOSFET
List of Unclassifed Man...	DE150-102N02A	77Kb / 3P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Qg and Rg High dv/dt Nanosecond Switching RF Power MOSFET
IXYS Corporation	IXFN100N25	78Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low
	IXTH28N50Q	177Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXTQ24N55Q	517Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXFH36N55Q	171Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXFT14N100	628Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family

A proposito di IXYS Corporation

Ixys Corporation è una società tecnologica specializzata nella progettazione, produzione e vendita di semiconduttori di energia e circuiti integrati (ICS). La società è stata fondata nel 1983 ed è sede a Milpitas, in California. Ixys ha una presenza globale, con operazioni e clienti in oltre 60 paesi in tutto il mondo.

IXYS fornisce una vasta gamma di prodotti e soluzioni, tra cui MOSFET di potenza, transistor bipolari di potenza, tiristi, diodi e ICS per le applicazioni di gestione e controllo dell'alimentazione. I prodotti dell'azienda vengono utilizzati in una varietà di applicazioni, tra cui energia rinnovabile, industriale, automobilistico e elettronica di consumo.

Ixys è noto per la sua esperienza nella tecnologia dei semiconduttori di potenza e la sua capacità di fornire soluzioni ad alte prestazioni ed economiche ai propri clienti. La società è impegnata nell'innovazione, nella ricerca e nello sviluppo ed è attivamente coinvolta nello sviluppo di nuove tecnologie e soluzioni per il mercato dei semiconduttori di potenza. Ixys è un leader riconosciuto nel mercato dei semiconduttori di potenza e continua a fornire prodotti e servizi di alta qualità ai propri clienti.

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