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BF1100WR Scheda tecnica (PDF) - NXP Semiconductors

BF1100WR Datasheet PDF - NXP Semiconductors
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BF1100WR Dettagli del prodotto

DESCRIPTION
Enhancement type field-effect transistor in a plastic microminiature SOT343R package. The transistor consists of an amplifier MOS-FET with source and substrate interconnected and an internal bias circuit to ensure good cross-modulation performance during AGC.
   
FEATURES
• Specially designed for use at 9 to 12 V supply voltage
• Short channel transistor with high forward transfer
    admittance to input capacitance ratio
• Low noise gain controlled amplifier up to 1 GHz
• Superior cross-modulation performance during AGC.
   
APPLICATIONS
• VHF and UHF applications such as television tuners and
    professional communications equipment.
   




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A proposito di NXP Semiconductors


NXP Semiconductors è un'azienda multinazionale quotata in borsa che progetta, sviluppa e produce una vasta gamma di semiconduttori e circuiti integrati per varie applicazioni, tra cui mercati automobilistici, industriali, di comunicazione e di consumo.
La società è stata fondata nel 2006 ed è con sede a Eindhoven, nei Paesi Bassi.
NXP offre un ampio portafoglio di prodotti, tra cui microcontroller, microprocessori, ICS di autenticazione sicuri, ICS di gestione dell'alimentazione, RF e componenti a microonde e soluzioni di sensori, tra gli altri.
I prodotti dell'azienda sono progettati per essere efficienti dal punto di vista energetico, sicuri e affidabili e sono utilizzati in una varietà di applicazioni, tra cui sistemi automobilistici, automazione e controllo industriali, case intelligenti ed edifici e dispositivi connessi.
NXP è dedicato all'innovazione e alla soddisfazione dei clienti e si impegna a fornire ai propri clienti le migliori soluzioni per semiconduttori per soddisfare le loro esigenze.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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