HS-4423RH Scheda tecnica(PDF) - Renesas Technology Corp

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HS-4423RH Scheda tecnica (PDF) - Renesas Technology Corp

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HS-4423RH Dettagli del prodotto

Features
• Electrically screened to DLA SMD # 5962-99511
• QML qualified per MIL-PRF-38535 requirements
• EH version acceptance tested to 50krad(Si) (LDR)
• Radiation environment
- High dose rate (50-300rad(Si)/s). . . . . . . . . . . 300krad(Si)
- Latch-up immune
- Low dose rate immune
• IPEAK . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . >2A (typ)
• Matched rise and fall times (CL = 4300pF) . . . . . . . .75ns (max)
• Low voltage lock-out feature
- HS-4423RH, HS-4423EH, . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . <10.0V
- HS-4423BRH, HS-4423BEH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . <7.5V
• Wide supply voltage range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V to 18V
• Prop delay . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .250ns (max)
• Consistent delay times with VCC changes
• Low power consumption
- 40mW with inputs high
- 20mW with inputs low
• Low equivalent input capacitance . . . . . . . . . . . . . 3.2pF (typ)
• ESD protected. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4000V

Codice articolo simile - HS-4423RH

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Intersil Corporation	HS-4423RH	56Kb / 2P	Radiation Hardened Dual, Inverting Power MOSFET Drivers 1999 06
	HS-4423RH	201Kb / 3P	Radiation Hardened Dual, Inverting Power MOSFET Drivers February 11, 2014
	HS-4423RH	201Kb / 3P	Radiation Hardened Dual, Inverting Power MOSFET Drivers February 11, 2014

Descrizione simile - HS-4423RH

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Intersil Corporation	HS-4423RH	56Kb / 2P	Radiation Hardened Dual, Inverting Power MOSFET Drivers 1999 06
	HS-4424RH	56Kb / 2P	Radiation Hardened Dual, Non-Inverting Power MOSFET Drivers 1999 06
	ISL74422BRH	74Kb / 2P	Radiation Hardened, 9A, Non-Inverting Power MOSFET Driver October 2003
	ISL74422ARH	132Kb / 3P	Radiation Hardened 9A, Non-Inverting Power Radiation Hardened 9A, Non-Inverting Power April 1, 2010
	5962F9956004V9A	227Kb / 3P	Radiation Hardened Dual, Non-Inverting Power MOSFET Drivers September 24, 2013
	HS-4423RH	201Kb / 3P	Radiation Hardened Dual, Inverting Power MOSFET Drivers February 11, 2014
	HS-4424DRH	528Kb / 15P	Dual, Noninverting Power MOSFET Radiation Hardened Drivers October 15, 2015
	HS-4424RH	255Kb / 3P	Radiation Hardened Dual, Non-Inverting Power MOSFET Drivers September 24, 2013
Renesas Technology Corp	ISL74422ARH	142Kb / 3P	Radiation Hardened 9A, Non-Inverting Power MOSFET Drivers April 1, 2010
Renesas Technology Corp	ISL74422BRH	210Kb / 3P	Radiation Hardened, 9A, Non-Inverting Power MOSFET Driver October 2003

A proposito di Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp è una società di semiconduttori giapponesi che fornisce una vasta gamma di microcontrollori, sistemi su chip e dispositivi analogici e di alimentazione per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.
La società è stata formata nel 2010 attraverso la fusione di NEC Electronics Corporation e Renesas Technology Corporation.
Renesas è uno dei più grandi fornitori di microcontrollori al mondo ed è noto per la sua esperienza nello sviluppo di tecnologie avanzate in settori come l'Internet of Things (IoT), l'intelligenza artificiale (AI) e l'elettronica automobilistica.
La società ha operazioni in oltre 20 paesi e i suoi prodotti vengono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni.

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