LET9002 Scheda tecnica(PDF) - STMicroelectronics

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LET9002 Scheda tecnica (PDF) - STMicroelectronics

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LET9002 Dettagli del prodotto

DESCRIPTION
The LET9002 is a common source N-Channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1000 MHz. The LET9002 is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 26 V. LET9002 boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the innovative leadless SMD plastic package, PowerFLAT™.
It is ideal for digital cellular BTS applications requiring high linearity.

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFETs

• EXCELLENT THERMAL STABILITY
• COMMON SOURCE CONFIGURATION
• POUT = 2 W with 17 dB gain @ 960 MHz / 26 V
• NEW LEADLESS PLASTIC PACKAGE
• ESD PROTECTION
• SUPPLIED IN TAPE & REEL OF 3K UNITS

Codice articolo simile - LET9002

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
STMicroelectronics	LET9006	40Kb / 4P	RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package 15-Apr-2003

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	LET21030C	62Kb / 4P	RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology 24-Jan-2003
	LET9006	40Kb / 4P	RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package 15-Apr-2003
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A proposito di STMicroelectronics

STMicroelectronics è un produttore di elettronica e semiconduttori multinazionali con sede a Ginevra, in Svizzera.

La società offre una vasta gamma di prodotti tra cui microcontrollori, sensori, amplificatori di potenza e circuiti integrati per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.

Fondata nel 1987, STMicroelectronics ha operazioni in oltre 100 paesi ed è una delle più grandi società di semiconduttori al mondo.

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