LET9006 Scheda tecnica(PDF) - STMicroelectronics

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LET9006 Scheda tecnica (PDF) - STMicroelectronics

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LET9006 Dettagli del prodotto

DESCRIPTION
The LET9006 is a common source N-Channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 26 V in common source mode at frequencies up to 1 GHz. LET9006 boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the innovative leadless SMD plastic package, PowerFLAT™.
It is ideal for digital cellular BTS applications requiring high linearity.

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFETs

• EXCELLENT THERMAL STABILITY
• COMMON SOURCE CONFIGURATION
• POUT = 6 W with 17 dB gain @ 960 MHz / 26V
• NEW LEADLESS PLASTIC PACKAGE
• ESD PROTECTION
• SUPPLIED IN TAPE & REEL OF 3K UNITS

Codice articolo simile - LET9006

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
STMicroelectronics	LET9002	40Kb / 4P	RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package 15-Apr-2003

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	LET21030C	62Kb / 4P	RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology 24-Jan-2003
	LET9002	40Kb / 4P	RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package 15-Apr-2003
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A proposito di STMicroelectronics

STMicroelectronics è un produttore di elettronica e semiconduttori multinazionali con sede a Ginevra, in Svizzera.

La società offre una vasta gamma di prodotti tra cui microcontrollori, sensori, amplificatori di potenza e circuiti integrati per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.

Fondata nel 1987, STMicroelectronics ha operazioni in oltre 100 paesi ed è una delle più grandi società di semiconduttori al mondo.

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