MTP10N10E Scheda tecnica(PDF) - Motorola, Inc

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MTP10N10E Scheda tecnica (PDF) - Motorola, Inc

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Produttore elettronici	MOTOROLA [Motorola, Inc]

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TMOS POWER FETs 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM

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MTP10N10E Dettagli del prodotto

TMOS IV Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

This advanced “E” series of TMOS power MOSFETs is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. These new energy efficient devices also offer drain–to–source diodes with fast recovery times. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating area are critical, and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Internal Source–to–Drain Diode Designed to Replace External

   Zener Transient Suppressor — Absorbs High Energy in the

   Avalanche Mode — Unclamped Inductive Switching (UIS)

   Energy Capability Specified at 100°C

• Commutating Safe Operating Area (CSOA) Specified for Use in Half and Full Bridge Circuits

• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode

• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

Codice articolo simile - MTP10N10E

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
ON Semiconductor	MTP10N10E	242Kb / 8P	Power MOSFET August, 2006 ??Rev. 2
Inchange Semiconductor ...	MTP10N10E	393Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Motorola, Inc	MTP10N10EL	221Kb / 8P	TMOS POWER FET 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.22 OHMS
ON Semiconductor	MTP10N10EL	107Kb / 8P	Power MOSFET 10 A, 100 V, Logic Level, N?묬hannel TO??20 March, 2005 ??Rev. 4
ON Semiconductor	MTP10N10ELG	107Kb / 8P	Power MOSFET 10 A, 100 V, Logic Level, N?묬hannel TO??20 March, 2005 ??Rev. 4

Descrizione simile - MTP10N10E

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Motorola, Inc	MTD6P10E	261Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.66 OHM
	MTD9N10E	257Kb / 10P	TMOS POWER FET 9.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM
	MTP12P10	190Kb / 6P	TMOS POWER FET 12 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM
	MTP16N25E	222Kb / 8P	TMOS POWER FET 16 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM
	MTP27N10E	230Kb / 8P	TMOS POWER FET 27 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.07 OHM
	MTP33N10E	240Kb / 8P	TMOS POWER FET 33 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.06 OHM
	MTP40N10E	160Kb / 8P	TMOS POWER FET 40 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.04 OHM
	MTW33N10E	227Kb / 8P	TMOS POWER FET 33 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.06 OHM
	MTW45N10E	155Kb / 8P	TMOS POWER FET 45 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.035 OHM
	MTY100N10E	216Kb / 8P	TMOS POWER FET 100 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.011 OHM

A proposito di Motorola, Inc

Motorola, Inc. era una società di telecomunicazioni multinazionali americana fondata nel 1928. Era con sede a Schaumburg, nell'Illinois, ed era uno dei maggiori fornitori di telefoni cellulari, attrezzature di telecomunicazione e semiconduttori. Nel corso della sua storia, Motorola era nota per la sua innovazione nel campo delle telecomunicazioni, incluso lo sviluppo del primo telefono cellulare disponibile in commercio al mondo, il Dynatac, e il primo atrocchette al mondo, il Pageboy.

Nel 2011, Motorola si è divisa in due società separate: Motorola Mobility e Motorola Solutions. Motorola Mobility è stata successivamente acquisita da Google nel 2012 ed è ora una consociata di Lenovo. Motorola Solutions si concentra su soluzioni di comunicazione pubblica e commerciale e industriale. La società fornisce una vasta gamma di prodotti tra cui radio a due vie, dispositivi di mobile computing e apparecchiature di infrastruttura di rete.

Motorola è stata una delle pioniere del settore dei telefoni cellulari e ha una ricca storia di innovazione e progressi tecnologici. L'eredità dell'azienda continua attraverso le sue filiali e le sue tecnologie e prodotti continuano ad essere utilizzati in tutto il mondo.

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