MTP10N10EL Scheda tecnica(PDF) - Motorola, Inc

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MTP10N10EL Scheda tecnica (PDF) - Motorola, Inc

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Produttore elettronici	MOTOROLA [Motorola, Inc]

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TMOS POWER FET 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.22 OHMS

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MTP10N10EL Dettagli del prodotto

Logic Level TMOS E-FET™ Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Avalanche Energy Specified

• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode

• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

Codice articolo simile - MTP10N10EL

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
ON Semiconductor	MTP10N10EL	107Kb / 8P	Power MOSFET 10 A, 100 V, Logic Level, N?묬hannel TO??20 March, 2005 ??Rev. 4
ON Semiconductor	MTP10N10ELG	107Kb / 8P	Power MOSFET 10 A, 100 V, Logic Level, N?묬hannel TO??20 March, 2005 ??Rev. 4
VBsemi Electronics Co.,...	MTP10N10ELG	937Kb / 7P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

Descrizione simile - MTP10N10EL

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Motorola, Inc	MTD6P10E	261Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.66 OHM
	MTD9N10E	257Kb / 10P	TMOS POWER FET 9.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM
	MTP10N40E	249Kb / 8P	TMOS POWER FET 10 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 0.55 OHMS
	MTP1N80E	221Kb / 8P	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 12 OHMS
	MTP2N60E	219Kb / 8P	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS
	MTP3N50E	251Kb / 8P	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.0 OHMS
	MTP3N60E	183Kb / 8P	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 2.2 OHMS
	MTP6N60E	156Kb / 8P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 1.2 OHMS
	MTP7N20E	223Kb / 8P	TMOS POWER FET 7.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.70 OHMS
	MTY100N10E	216Kb / 8P	TMOS POWER FET 100 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.011 OHM

A proposito di Motorola, Inc

Motorola, Inc. era una società di telecomunicazioni multinazionali americana fondata nel 1928. Era con sede a Schaumburg, nell'Illinois, ed era uno dei maggiori fornitori di telefoni cellulari, attrezzature di telecomunicazione e semiconduttori. Nel corso della sua storia, Motorola era nota per la sua innovazione nel campo delle telecomunicazioni, incluso lo sviluppo del primo telefono cellulare disponibile in commercio al mondo, il Dynatac, e il primo atrocchette al mondo, il Pageboy.

Nel 2011, Motorola si è divisa in due società separate: Motorola Mobility e Motorola Solutions. Motorola Mobility è stata successivamente acquisita da Google nel 2012 ed è ora una consociata di Lenovo. Motorola Solutions si concentra su soluzioni di comunicazione pubblica e commerciale e industriale. La società fornisce una vasta gamma di prodotti tra cui radio a due vie, dispositivi di mobile computing e apparecchiature di infrastruttura di rete.

Motorola è stata una delle pioniere del settore dei telefoni cellulari e ha una ricca storia di innovazione e progressi tecnologici. L'eredità dell'azienda continua attraverso le sue filiali e le sue tecnologie e prodotti continuano ad essere utilizzati in tutto il mondo.

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