MTP2N60E Scheda tecnica(PDF) - Motorola, Inc

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MTP2N60E Scheda tecnica (PDF) - Motorola, Inc

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MTP2N60E Dettagli del prodotto

TMOS E-FET™ Power Field Effect Transistor
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Robust High Voltage Termination
• Avalanche Energy Specified
• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete
Fast Recovery Diode
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

Codice articolo simile - MTP2N60E

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
New Jersey Semi-Conduct...	MTP2N60E	112Kb / 2P	N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
ON Semiconductor	MTP2N60E	215Kb / 7P	Power Field Effect Transistor August, 2006 ??Rev. 3
VBsemi Electronics Co.,...	MTP2N60E	1Mb / 9P	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

Descrizione simile - MTP2N60E

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
Motorola, Inc	MTB2N60E	271Kb / 10P	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS
	MTD2N40E	268Kb / 10P	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 3.5 OHM
	MTD2N50E	299Kb / 10P	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.6 OHM
	MTP10N10EL	221Kb / 8P	TMOS POWER FET 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.22 OHMS
	MTP10N40E	249Kb / 8P	TMOS POWER FET 10 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 0.55 OHMS
	MTP2N40E	217Kb / 8P	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 3.5 OHM
	MTP2P50E	230Kb / 8P	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 6.0 OHM
	MTP3N60E	183Kb / 8P	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 2.2 OHMS
	MTP6N60E	156Kb / 8P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 1.2 OHMS
	MTP7N20E	223Kb / 8P	TMOS POWER FET 7.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.70 OHMS

A proposito di Motorola, Inc

Motorola, Inc. era una società di telecomunicazioni multinazionali americana fondata nel 1928. Era con sede a Schaumburg, nell'Illinois, ed era uno dei maggiori fornitori di telefoni cellulari, attrezzature di telecomunicazione e semiconduttori. Nel corso della sua storia, Motorola era nota per la sua innovazione nel campo delle telecomunicazioni, incluso lo sviluppo del primo telefono cellulare disponibile in commercio al mondo, il Dynatac, e il primo atrocchette al mondo, il Pageboy.

Nel 2011, Motorola si è divisa in due società separate: Motorola Mobility e Motorola Solutions. Motorola Mobility è stata successivamente acquisita da Google nel 2012 ed è ora una consociata di Lenovo. Motorola Solutions si concentra su soluzioni di comunicazione pubblica e commerciale e industriale. La società fornisce una vasta gamma di prodotti tra cui radio a due vie, dispositivi di mobile computing e apparecchiature di infrastruttura di rete.

Motorola è stata una delle pioniere del settore dei telefoni cellulari e ha una ricca storia di innovazione e progressi tecnologici. L'eredità dell'azienda continua attraverso le sue filiali e le sue tecnologie e prodotti continuano ad essere utilizzati in tutto il mondo.

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