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GP800FSS12 Scheda tecnica (PDF) - Dynex Semiconductor
GP800FSS12 Datasheet PDF - Dynex Semiconductor
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GP800FSS12 Datasheet (PDF)

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GP800FSS12 Scheda tecnica (HTML) - Dynex Semiconductor


GP800FSS12 Dettagli del prodotto

The GP800FSS12 is a single switch 1200V, robust n channel enhancement mode insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. Designed for low power loss, the module is suitable for a variety of high voltage applications in motor drives and power conversion. The high impedance gate simplifies gate drive considerations enabling operation directly from low power control circuitry.

FEATURES
■ n - Channel
■ Enhancement Mode
■ High Input Impedance
■ Optimised For High Power High Frequency Operation
■ Isolated Base
■ Full 1200V Capability
■ 800A Per Module

APPLICATIONS
■ High Power Switching
■ Motor Control
■ Inverters
■ Traction Systems




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A proposito di Dynex Semiconductor

Dynex Semiconductor era una società britannica specializzata nella progettazione e nella produzione di semiconduttori ad alta potenza.
La compagnia è stata fondata nel 1967 e ha sede a Lincoln, in Inghilterra.
Dynex era noto per la sua esperienza nella tecnologia dei semiconduttori ad alta potenza e la sua capacità di fornire dispositivi di alimentazione progettati su misura per varie applicazioni come la conversione di potenza, il controllo motorio e i sistemi di energia rinnovabile.
Nel 2015, Dynex è stato acquisito da Infineon Technologies, un fornitore leader di sistemi di potenza e sensori.
Il marchio Dynex non è più in uso, ma la sua tecnologia e i suoi prodotti continuano a far parte del portafoglio di Infineon.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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