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GP800NSS33 Scheda tecnica (PDF) - Dynex Semiconductor
GP800NSS33 Datasheet PDF - Dynex Semiconductor
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Spiegazioni elettronici Single Switch IGBT Module Preliminary Information

GP800NSS33 Datasheet (PDF)

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GP800NSS33 Scheda tecnica (HTML) - Dynex Semiconductor


GP800NSS33 Dettagli del prodotto

The Powerline range of high power modules includes dual, half bridge and single switch configurations covering voltages from 600V to 3300V and currents up to 4800A.
The GP800NSS33 is a single switch 3300V, n channel enhancement mode, insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. The IGBT has a wide reverse bias safe operating area (RBSOA) ensuring reliability in demanding applications.

FEATURES
■ Non Punch Through Silicon
■ Isolated Copper Baseplate with AL2O3 Substrate
■ Low Inductance Internal Construction

APPLICATIONS
■ High Power Inverters
■ Motor Controllers
■ Induction Heating
■ Resonant Converters




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A proposito di Dynex Semiconductor

Dynex Semiconductor era una società britannica specializzata nella progettazione e nella produzione di semiconduttori ad alta potenza.
La compagnia è stata fondata nel 1967 e ha sede a Lincoln, in Inghilterra.
Dynex era noto per la sua esperienza nella tecnologia dei semiconduttori ad alta potenza e la sua capacità di fornire dispositivi di alimentazione progettati su misura per varie applicazioni come la conversione di potenza, il controllo motorio e i sistemi di energia rinnovabile.
Nel 2015, Dynex è stato acquisito da Infineon Technologies, un fornitore leader di sistemi di potenza e sensori.
Il marchio Dynex non è più in uso, ma la sua tecnologia e i suoi prodotti continuano a far parte del portafoglio di Infineon.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.




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