IRFZ48VS Scheda tecnica(PDF) - International Rectifier

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IRFZ48VS Scheda tecnica (PDF) - International Rectifier

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IRFZ48VS Dettagli del prodotto

Description
Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

1. Advanced Process Technology
2. Ultra Low On-Resistance
3. Dynamic dv/dt Rating
4. 175°C Operating Temperature
5. Fast Switching
6. Fully Avalanche Rated

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A proposito di International Rectifier

International Rectifier (IR) era una società americana specializzata nella progettazione e produzione di semiconduttori di gestione dell'alimentazione e controllo dell'alimentazione.
La compagnia è stata fondata nel 1947 e ha sede a El Segundo, in California.
L'IR ha fornito una vasta gamma di prodotti tra cui ICS di gestione dell'alimentazione, MOSFET di potenza, IGBT e altri prodotti di controllo dell'alimentazione.
I prodotti dell'azienda sono stati utilizzati in varie applicazioni come calcolo, telecomunicazioni e automazione industriale.
IR era noto per la sua esperienza nella tecnologia di gestione e controllo dell'alimentazione e la sua capacità di fornire prodotti di alta qualità e affidabili ai suoi clienti.
Nel 2014, IR è stato acquisito da Infineon Technologies, un fornitore leader di prodotti di gestione e controllo dell'alimentazione e altre soluzioni per semiconduttori.
Il marchio International Rectifier non è più in uso, ma la sua tecnologia e i suoi prodotti continuano a far parte del portafoglio di Infineon.

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