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TM7708 Scheda tecnica(PDF) 9 Page - Shenzhen Titan Micro Electronics Co., Ltd. |
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TM7708 Scheda tecnica(HTML) 9 Page - Shenzhen Titan Micro Electronics Co., Ltd. |
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9 / 46 page ![]() © Titan Micro Electronics V1.1 www.titanmec.com -9- 24 bit 模数转换器 TM7707/8 0.85 mA max BUF Bit=0. fCLKIN=2.4576MHz. Gains of 8 to 128 0.9 mA max BUF Bit=1. fCLKIN=2.4576MHz. Gains of 1 to 4 1.3 mA max BUF Bit=1. fCLKIN=2.4576MHz. Gains of 8 to 128 Standby(Power-Dow n)Current17 16 μA max External MCLK IN=0V or VDD. VDD=5V.See Figure 9 8 μA max External MCLK IN=0V or VDD. VDD=3V Power Supply Rejection18 See Note 19 dB typ 注释: 1. B 级温度范围为-40℃~+85℃。 2. 这些数据是按最初设计的产品发布的。 3. 一次校准实际上是一次转换,因此这些误差就是表 1 和表 3 所示转换噪声的阶数。这 适用于在期望的温度下校准后。 4. 任何温度条件下的重新校准将会除去这些漂移误差。 5. 正满标度误差包括零标度误差 (Zero-Scale Error )(单极性偏移误差或双极性零误 差) ,且既适用于单极性输入范围又适用于双极性输入范围。 6. 满标度漂移包括零标度漂移 (单极性偏移漂移或双极性零漂移)且适用于单极性及 双极性输入范围。 7. 增益误差不包括零标度误差,它被计算为满标度误差——对单极性范围为单极性偏移 误差,而对双极性范围为满标度误差——双极性零误差。 8. 增益误差漂移不包括单极性偏移漂移和单极性零漂移。当只完成了零标度校准时,增 益误差实际上是器件的漂移量。 9. 共模电压范围:模拟输入电压不超过 VDD+30mV,不低于 GND-30mV。电压低于 GND-200mV 时,器件功能有效,但在高温时漏电流将增加。 10. 这里给出的 AIN(+)端的模拟输入电压范围,对 TM7707 来说,是指相对于 AIN(- ) 端的电压; 对 TM7708 而言是指 COMMON 输入端。输入模拟电压不应超过 VDD+30mV, 不应低于 GND-30mV。GND-200mV 的输入电压也可采用,但高温时漏电流将增加。 11. VREF=REF IN(+ )-REF IN(-)。 12. 只有当加载一个 CMOS 负载时,这些逻辑输出电平才适用于 MCLK OUT。 13. +25℃时测试样品,以保证一致性。 14. 校准后,如果模拟输入超过正满标度,转换器将输出全 1,如果模拟输入低于负满标度, 将输出全 0。 15. 在模拟输入端所加校准电压的极限不应超过 VDD +30mV 或负于 GND -30mV。 16. 当用晶体或陶瓷谐振器作为器件的时钟源时 (通过 MCLK 引脚 ),VDD 电流和功耗 随晶体和谐振器的类型而变化 (见“时钟和振荡器电路”部分) 。 17. 在等待模式下,外部的主时钟继续运行,5V 电压时等待电流增加到 150 μ A,3V 电 压时增加到 75 μ A。当用晶体或陶瓷谐振器作为器件的时钟源时,内部振荡器在等待 模式下继续运行,电源电流功耗随晶体和谐振器的类型而变化 (参看“等待模式” 一节) 。 18. 在直流状态测量,适用于选定的通频带。50Hz 时,PSRR 超过 120dB (滤波器陷波 |
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