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TM7708 Scheda tecnica(PDF) 4 Page - Shenzhen Titan Micro Electronics Co., Ltd. |
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TM7708 Scheda tecnica(HTML) 4 Page - Shenzhen Titan Micro Electronics Co., Ltd. |
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4 / 46 page ![]() © Titan Micro Electronics V1.1 www.titanmec.com -4- 24 bit 模数转换器 TM7707/8 DRDY TM7708 的数据寄存器获取新的输出字。完成对一个完全的输 出字的读操作后, DRDY 引脚立即回到高电平。如果在两次输 出更新之间,不发生数据读出, DRDY 将在下一次输出更新前 500 ×tCLKIN 时间返回高电平。当 DRDY 处于高电平时,不能 进行读操作,以免数据寄存器中的数据正在被更新时进行读操 作。当数据被更新后, DRDY 又将返回低电平。DRDY 也用 来指示何时 TM7707/ TM7708 已经完成片内的校准序列 13 DOUT 串行数据输出端。从片内的输出移位寄存器读出的串行数据由 此端输出。根据通讯寄存器中的寄存器选择位,移位寄存器可 容纳来自通讯寄存器、时钟寄存器或数据寄存器的信息 14 DIN 串行数据输入端。向片内的输入移位寄存器写入的串行数据由 此输入。根据通讯寄存器中的寄存器选择位,输入移位寄存器 中的数据被传送到设置寄存器、时钟寄存器或通讯寄存器 15 VDD 电源电压, +2.7V~+5.25V 16 GND 内部电路的地电位基准点 六、极限参数(TA = +25℃,除非另有说明) VDD 对 GND -0.3V ~+7V 模拟输入电压对 GND -0.3V ~VDD +0.3V 基准输入电压对 GND -0.3V ~VDD +0.3V 数字输入电压对 GND -0.3V ~VDD +0.3V 数字输出电压对 GND -0.3V ~VDD +0.3V 工作温度范围 (商业级, B ) -40℃~+85℃ 储存温度范围 -65℃~+150℃ 结温 +150℃ 功耗 (塑料 DIP 封装) 450mW θ JA 热阻 105℃/W 引脚温度 (焊接 , 10 秒) +260℃ 功耗(塑料 SOIC 封装) 450mW θ JA 热阻 75℃/W 引脚温度 (焊接 ) 汽相 ( 60 秒) +215℃ 红外线 ( 15 秒) +220℃ 功耗 ( SSOP 封装) 450mW θ JA 热阻 139℃/W 引脚温度(焊接) 汽相( 60 秒) +215℃ 红外线( 15 秒) +220℃ 抗 ESD >4000V 注:强度超出所列的极限参数可能导致器件的永久性损坏。这些仅仅是极限参数, 并不意味着在极限条件下或在任何其它超出推荐工作条件所示参数的情况下器 件能有效地工作。延长在极限参数条件下的工作时间会影响器件的可靠性。 |
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