HFP830 datasheet(1/1 Pages) ETC2

Il numero della parte	HFP830

Spiegazioni elettronici	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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汕头华汕电子器件有限公司

HFP830

对应国外型号

IRF830

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

█ 主要用途

█ 外形图及引脚排列

1―栅极 G

2―漏极 D

3―源极 S

TO-220

高压高速电源开关。

█ 极限值（T

a=25℃）

T stg —— 贮存温度 ………… ………… ………… … - 55 ~150 ℃

T j — —结温 … ……… … ……… … ……… … ……… - 55~150 ℃

V DSS ——漏极—源极电压………………………………… 50 0 V

VDGR —— 漏极—栅极电压(RGS=1MΩ) …………………………… 500V

V GS —— 栅极—源极电压… … ……… … ……… … ……… ± 20 V

I D —— 漏极电流（ T c =25 ℃）… ……… …… ……… …… …… 4.5 A

P D ——耗散功率（ T c =25 ℃） ……………………………… 75 W

█ 电参数（T

a=25℃）

参数符号

符

号

说

明

最小值

典型值

最大值

单位

测

试

条

件

BVDSS

IDSS

IGSS

VGS （ th ）

ID（on）

RDS（on）

gfs

Ciss

Coss

Crss

Td（on）

Tr

Td（off）

Tf

Qg

Qgs

Qgd

IS

VSD

漏—源极击穿电压

零栅压漏极电流

栅极泄漏电流

栅—源极开启电压

导通状态漏极电流

漏—源极导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

断开延迟时间

下降时间

栅极总电荷

栅极—源极电荷

栅极—漏极电荷

源极—漏极二极管正向电流

源极—漏极二极管导通电压

500

2.0

4.5

2.5

22

12

10

25

±100

4.0

1.5

800

200

60

30

55

30

4.5

1.6

V

µA

nA

V

A

Ω

S

pF

ns

nC

A

V

ID=250µA，VGS=0

VDS=500V，VGS=0

VGS=±20V，VDS=0

VDS=VGS，ID=250µA

VDS≥6.75V，VGS=10V

VGS=10V，ID=2.5A

VDS=10V，ID=2.5A

VDS=25V，VGS=0，f=1MHz

VDD=200V，ID=2.5A（峰

值）

，RG=15Ω

VDS=0.8VDSS,

VGS=10V，

ID=4.5A

IS=4.5A，VGS=0

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