IRF530 Scheda tecnica, PDF - Datasheet Search Engine

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Produttore elettronici

IRF530 Scheda tecnica, PDF

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Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
ON Semiconductor	IRF530	192Kb/7P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 2
STMicroelectronics	IRF530	47Kb/3P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR Jun-1988
Vishay Siliconix	IRF530	158Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
Samsung semiconductor	IRF530	354Kb/6P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Vishay Siliconix	IRF530	282Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
Vishay Siliconix	IRF530	608Kb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
STMicroelectronics	IRF530	281Kb/3P	N-CHANNEL 100V - 0.115 W - 14A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET June 1988
STMicroelectronics	IRF530	187Kb/3P	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS Jun-1988
Harris Corporation	IRF530	390Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated
International Rectifier	IRF530	175Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A)
New Jersey Semi-Conduct...	IRF530	153Kb/3P	14A, 100V, 0.160 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Motorola, Inc	IRF530	157Kb/2P	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
First Components Intern...	IRF530	356Kb/6P	14.0A 100V N CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor	IRF530	180Kb/6P	N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V
SYC Electronica	IRF530	83Kb/5P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
Transys Electronics	IRF530	481Kb/5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE
Inchange Semiconductor ...	IRF530	332Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Nanjing International G...	IRF530	579Kb/2P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
List of Unclassifed Man...	IRF530	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
International Rectifier	IRF5305	124Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)

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Breve descrizione di IRF530

Spiegazione generale:
L'IRF530 è un MOSFET a canale N di International Rectifier, ora parte di Infineon Technologies. È progettato per applicazioni a commutazione rapida nell'elettronica di potenza.

Caratteristiche principali:
Tipo: MOSFET a canale N.
Tensione Drain-Source (Vds): 100 V.
Corrente di scarico continua (Id): 14 A.
Dissipazione di potenza: fino a 88 W.
Rds(on): tipicamente 0,16 ohm con tensione di gate di 10 V.
Applicazioni comuni:
Regolatori di commutazione: utilizzati nei convertitori DC-DC e nei circuiti di alimentazione.
Azionamenti motore: adatti per azionare motori di piccole e medie dimensioni.
Invertitori di potenza: comuni nei circuiti inverter per sistemi di energia rinnovabile.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

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