NE3210S01 Scheda tecnica(PDF)

Motore di ricerca datesheet componenti elettronici

NE3210S01 Scheda tecnica (PDF) - Renesas Technology Corp

NE3210S01 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


Il numero della parte	NE3210S01

Scarica	NE3210S01 Scarica

Grandezza file	197.14 Kbytes

Page	18 Pages

Produttore elettronici	RENESAS [Renesas Technology Corp]

Homepage	http://www.renesas.com

Logo

Spiegazioni elettronici

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

NE3210S01 Datasheet (PDF)

Scarica Scheda tecnica


Il numero della parte	NE3210S01

Scarica	NE3210S01 Click to download

Grandezza file	197.14 Kbytes

Page	18 Pages

Produttore elettronici	RENESAS [Renesas Technology Corp]

Homepage	http://www.renesas.com

Logo

Spiegazioni elettronici	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

NE3210S01 Scheda tecnica (HTML) - Renesas Technology Corp

NE3210S01 Datasheet HTML 1Page - Renesas Technology Corp

NE3210S01 Datasheet HTML 2Page - Renesas Technology Corp

NE3210S01 Datasheet HTML 3Page - Renesas Technology Corp

NE3210S01 Datasheet HTML 4Page - Renesas Technology Corp

NE3210S01 Datasheet HTML 5Page - Renesas Technology Corp

NE3210S01 Datasheet HTML 6Page - Renesas Technology Corp

NE3210S01 Datasheet HTML 7Page - Renesas Technology Corp

NE3210S01 Datasheet HTML 8Page - Renesas Technology Corp

NE3210S01 Datasheet HTML 9Page - Renesas Technology Corp

NE3210S01 Datasheet HTML 10Page - Renesas Technology Corp

NE3210S01 Dettagli del prodotto

DESCRIPTION
The NE3210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its
excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. at f = 12 GHz
• Gate Length: Lg £ 0.20 mm
• Gate Width : Wg = 160 mm

Codice articolo simile - NE3210S01

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
NEC	NE3210S01	62Kb / 16P	X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
California Eastern Labs	NE3210S01	414Kb / 7P	SUPER LOW NOISE HJ FET
NEC	NE3210S01-T1	62Kb / 16P	X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
California Eastern Labs	NE3210S01-T1	414Kb / 7P	SUPER LOW NOISE HJ FET
NEC	NE3210S01-T1B	62Kb / 16P	X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET

More results

Descrizione simile - NE3210S01

Produttore elettronici	Il numero della parte	Scheda tecnica	Spiegazioni elettronici
California Eastern Labs	NE3512S02	270Kb / 8P	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NE3514S02	285Kb / 8P	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NE3515S02-A	415Kb / 9P	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
Renesas Technology Corp	NE32484A	195Kb / 14P	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 1991
	NE32500	199Kb / 10P	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 1996
	NE32900	181Kb / 10P	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 1997
	NE32984D	207Kb / 14P	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 1995
	NE34018	250Kb / 18P	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 2000
	NE38018	236Kb / 13P	Hetero Junction Field Effect transistor 2003
	NE21283A	718Kb / 12P	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 1990

More results

A proposito di Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp è una società di semiconduttori giapponesi che fornisce una vasta gamma di microcontrollori, sistemi su chip e dispositivi analogici e di alimentazione per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.
La società è stata formata nel 2010 attraverso la fusione di NEC Electronics Corporation e Renesas Technology Corporation.
Renesas è uno dei più grandi fornitori di microcontrollori al mondo ed è noto per la sua esperienza nello sviluppo di tecnologie avanzate in settori come l'Internet of Things (IoT), l'intelligenza artificiale (AI) e l'elettronica automobilistica.
La società ha operazioni in oltre 20 paesi e i suoi prodotti vengono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni.

*Queste informazioni sono solo a scopo informativo generale, non saremo responsabili per eventuali perdite o danni causati dalle informazioni di cui sopra.

Link URL

Lei ha avuto il aiuto da alldatasheet? [ DONATE ]
Di alldatasheet \| Richest di pubblicita \| contatti \| Privacy Policy \| Collegamento alla scheda tecnica \| scambio Link \| Ricerca produttore All Rights Reserved©Alldatasheet.com
Mirror Sites English : Alldatasheet.com \| English : Alldatasheet.net \| Chinese : Alldatasheetcn.com \| German : Alldatasheetde.com \| Japanese : Alldatasheet.jp Russian : Alldatasheetru.com \| Korean : Alldatasheet.co.kr \| Spanish : Alldatasheet.es \| French : Alldatasheet.fr \| Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com \| Polish : Alldatasheet.pl \| Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in \| Mexican : Alldatasheet.com.mx \| British : Alldatasheet.co.uk \| New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com \| icmetro.com

Lei ha avuto il aiuto da alldatasheet? [ DONATE ]

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com