NE32900 Scheda tecnica(PDF)

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NE32900 Dettagli del prodotto

DESCRIPTION
NE32900 is Hetero Junction FET chip that utilizes the hetero junction between Si-doped AlGaAs and undoped
InGaAs to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for
commercial systems, industrial and space applications.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.35 dB TYP., Ga = 13.0 dB TYP. at f = 12 GHz
• Gate Length : Lg = 0.2 Pm
• Gate Width : Wg = 200 Pm

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A proposito di Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp è una società di semiconduttori giapponesi che fornisce una vasta gamma di microcontrollori, sistemi su chip e dispositivi analogici e di alimentazione per varie applicazioni nei mercati automobilistici, industriali e di consumo.
La società è stata formata nel 2010 attraverso la fusione di NEC Electronics Corporation e Renesas Technology Corporation.
Renesas è uno dei più grandi fornitori di microcontrollori al mondo ed è noto per la sua esperienza nello sviluppo di tecnologie avanzate in settori come l'Internet of Things (IoT), l'intelligenza artificiale (AI) e l'elettronica automobilistica.
La società ha operazioni in oltre 20 paesi e i suoi prodotti vengono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni.

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