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AN2842

2/22

Doc ID 15110 Rev 1

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1

Schematic diagrams of analyzed topologies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

2

Approach to the study . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

2.1

Differences between the power circuit components . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

2.2

Gate circuitry . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

2.3

Influence of the boost diode in the current imbalance . . . . . . . . . . . . . . . 11

2.4

Temperature imbalance between devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

2.5

Influence of the differences between the power circuit components . . . . 13

2.6

Differences in the VGS(th) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

2.7

Differences in RDS(on) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

2.8

3

Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

4

Revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21